창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6012A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 110옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 21V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6012A | |
관련 링크 | 1N60, 1N6012A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F26012ITT | 26MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26012ITT.pdf | |
![]() | RSF2JT5K60 | RES MO 2W 5.6K OHM 5% AXIAL | RSF2JT5K60.pdf | |
![]() | 550DR4.7UF35V20% | 550DR4.7UF35V20% MIALTAN-D SMD or Through Hole | 550DR4.7UF35V20%.pdf | |
![]() | 0603F105Z100CT/0603 Y5V 1UF | 0603F105Z100CT/0603 Y5V 1UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603F105Z100CT/0603 Y5V 1UF.pdf | |
![]() | SRS1 R008F | SRS1 R008F SEMITEC SMD | SRS1 R008F.pdf | |
![]() | 1812AC103KAT2A | 1812AC103KAT2A AVX SMD or Through Hole | 1812AC103KAT2A.pdf | |
![]() | TR/3216FA7-R | TR/3216FA7-R BUSSMANN SMD | TR/3216FA7-R.pdf | |
![]() | 901120620K2L | 901120620K2L ORIGINAL QFN | 901120620K2L.pdf | |
![]() | AT90L8535-4AI | AT90L8535-4AI ATMEL QFP | AT90L8535-4AI.pdf | |
![]() | UC2707DWG4 | UC2707DWG4 TI-BB SOIC16 | UC2707DWG4.pdf | |
![]() | DFLR1400 | DFLR1400 ZETEXDIODES POWERDI123 | DFLR1400.pdf | |
![]() | BC857C-E6327 | BC857C-E6327 INFINEON SMD or Through Hole | BC857C-E6327.pdf |