창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6012A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 110옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 21V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6012A | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6012A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RCE5C2A100J0A2H03B | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C2A100J0A2H03B.pdf | |
![]() | 2225HA151KAT1A | 150pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225HA151KAT1A.pdf | |
![]() | RW1S5CAR040J | RES SMD 0.04 OHM 5% 1.5W J LEAD | RW1S5CAR040J.pdf | |
![]() | ICCV7 CPU12 ADV | ICCV7 CPU12 ADV C-COMPILER SMD or Through Hole | ICCV7 CPU12 ADV.pdf | |
![]() | 2N6517-Y | 2N6517-Y ORIGINAL DIP | 2N6517-Y.pdf | |
![]() | THS4140CDGKR | THS4140CDGKR TI MSOP-8 | THS4140CDGKR.pdf | |
![]() | JCD120V600WC/A2 | JCD120V600WC/A2 IWASAKI SMD or Through Hole | JCD120V600WC/A2.pdf | |
![]() | HTC3000-S | HTC3000-S LEM SMD or Through Hole | HTC3000-S.pdf | |
![]() | 216CPIAKA13FG X700 | 216CPIAKA13FG X700 ATI BGA | 216CPIAKA13FG X700.pdf | |
![]() | 60D201K | 60D201K CKE SMD or Through Hole | 60D201K.pdf | |
![]() | LT9611AP | LT9611AP LT DIP32 | LT9611AP.pdf | |
![]() | S9980P | S9980P AMI DIP40 | S9980P.pdf |