창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6010C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 21V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6010C | |
관련 링크 | 1N60, 1N6010C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | MKP383312025JCI2B0 | 0.012µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.177" W (10.00mm x 4.50mm) | MKP383312025JCI2B0.pdf | |
![]() | 416F44035IDR | 44MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44035IDR.pdf | |
![]() | IS42S16100-10T SDRAM | IS42S16100-10T SDRAM ISSI TSOP50 | IS42S16100-10T SDRAM.pdf | |
![]() | ADSP-21062LKB | ADSP-21062LKB AD BGA | ADSP-21062LKB.pdf | |
![]() | EKME500ETD100ME11D | EKME500ETD100ME11D NIPPONCHEMI-COM DIP | EKME500ETD100ME11D.pdf | |
![]() | MIC5209-5.0YS/TR | MIC5209-5.0YS/TR MIC SOT-223 | MIC5209-5.0YS/TR.pdf | |
![]() | CS5301-3 | CS5301-3 CHERRY TO-220 | CS5301-3.pdf | |
![]() | SG-615PCG | SG-615PCG EPSON SMD | SG-615PCG.pdf | |
![]() | CTX01-18424-R | CTX01-18424-R BUSSMANNINTL DIPSOP | CTX01-18424-R.pdf | |
![]() | 1N2567 | 1N2567 IR SMD or Through Hole | 1N2567.pdf | |
![]() | W78E051DLG | W78E051DLG WINBAND SMD or Through Hole | W78E051DLG.pdf | |
![]() | PVA3054NS-T | PVA3054NS-T IOR DIP6 | PVA3054NS-T.pdf |