창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6010C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 21V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6010C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6010C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 4P060F35CET | 6MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P060F35CET.pdf | |
![]() | SIT8008ACE1-18S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Standby | SIT8008ACE1-18S.pdf | |
![]() | UMP1T-S2Q-S2Q-S2Q-S2Q-70-A | UMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | UMP1T-S2Q-S2Q-S2Q-S2Q-70-A.pdf | |
![]() | RC0603FR-0719R1L | RES SMD 19.1 OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-0719R1L.pdf | |
![]() | 3038A0890349SL3XY | 3038A0890349SL3XY N/A NA | 3038A0890349SL3XY.pdf | |
![]() | 5160878-825 | 5160878-825 ORIGINAL ROHS | 5160878-825.pdf | |
![]() | Q24008 | Q24008 QUALCOMM PLCC68 | Q24008.pdf | |
![]() | TCD41E2A225MT | TCD41E2A225MT NPPN SMD or Through Hole | TCD41E2A225MT.pdf | |
![]() | B13B-PH-SM4-TBT(LF)(SN) | B13B-PH-SM4-TBT(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | B13B-PH-SM4-TBT(LF)(SN).pdf | |
![]() | UPD4556BC | UPD4556BC NEC DIP | UPD4556BC.pdf | |
![]() | LR2016-01-R200F | LR2016-01-R200F ORIGINAL SMD or Through Hole | LR2016-01-R200F.pdf | |
![]() | TL064MN | TL064MN ST DIP | TL064MN.pdf |