창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6007C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 48옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 15V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6007C | |
관련 링크 | 1N60, 1N6007C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RWS300A-15 | RWS300A-15 LAMBDA SMD or Through Hole | RWS300A-15.pdf | |
![]() | M68AE031AM70S3 | M68AE031AM70S3 SONY QFP | M68AE031AM70S3.pdf | |
![]() | B32632B1222M289 | B32632B1222M289 EPCOS DIP | B32632B1222M289.pdf | |
![]() | K4H560838B-TLA0 | K4H560838B-TLA0 SAMSUNG TSOP | K4H560838B-TLA0.pdf | |
![]() | HK2V337M30035 | HK2V337M30035 SAMW DIP2 | HK2V337M30035.pdf | |
![]() | M36W0R6040L3ZAM | M36W0R6040L3ZAM ST BGA | M36W0R6040L3ZAM.pdf | |
![]() | MAX3243CPWRG4, | MAX3243CPWRG4, ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX3243CPWRG4,.pdf | |
![]() | LA5690D | LA5690D SANYO DIP-8 | LA5690D.pdf | |
![]() | 1N969BTA | 1N969BTA TCKELCJTCON DO-35 | 1N969BTA.pdf | |
![]() | 2SD582(A) | 2SD582(A) TOS SMD or Through Hole | 2SD582(A).pdf | |
![]() | BD9749MWV | BD9749MWV ROHM UQFN048V7070 | BD9749MWV.pdf |