창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6006C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 42옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 14V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6006C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6006C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 445W2XJ12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 9pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W2XJ12M00000.pdf | |
![]() | ERJ-2GEJ110X | RES SMD 11 OHM 5% 1/10W 0402 | ERJ-2GEJ110X.pdf | |
![]() | AA0603JR-075R6L | RES SMD 5.6 OHM 5% 1/10W 0603 | AA0603JR-075R6L.pdf | |
![]() | RG1608N-103-D-T5 | RES SMD 10K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-103-D-T5.pdf | |
![]() | 43E8516 | 43E8516 IBM BGA | 43E8516.pdf | |
![]() | VC-2R8A90-0967H | VC-2R8A90-0967H FUJITSU SMD or Through Hole | VC-2R8A90-0967H.pdf | |
![]() | PLL601-01CSCL | PLL601-01CSCL PHASELIN SOP16 | PLL601-01CSCL.pdf | |
![]() | SN74CBT3245ARGYR /PB | SN74CBT3245ARGYR /PB TI QFN | SN74CBT3245ARGYR /PB.pdf | |
![]() | TA7815S/Q | TA7815S/Q TOSHIBA SMD or Through Hole | TA7815S/Q.pdf | |
![]() | 794723RK | 794723RK AMI SMD or Through Hole | 794723RK.pdf | |
![]() | TCP0584-01-5201 | TCP0584-01-5201 HOSHIDEN SMD or Through Hole | TCP0584-01-5201.pdf | |
![]() | RGEF1100 16V 11A | RGEF1100 16V 11A Raychem DIP | RGEF1100 16V 11A.pdf |