창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6004D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 32옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6004D | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6004D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | IRF9310TRPBF | MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC | IRF9310TRPBF.pdf | |
![]() | M83C154H-D14 | M83C154H-D14 ORIGINAL SMD or Through Hole | M83C154H-D14.pdf | |
![]() | 00ATS050SM | 00ATS050SM CTS SMD or Through Hole | 00ATS050SM.pdf | |
![]() | MCT2.3S | MCT2.3S ISOCOM DIPSOP | MCT2.3S.pdf | |
![]() | 1.5SMCJ100 | 1.5SMCJ100 PANJIT DO-214AB | 1.5SMCJ100.pdf | |
![]() | 61050 | 61050 ORIGINAL BGA10 | 61050.pdf | |
![]() | AM29DL324GB-90EF | AM29DL324GB-90EF ORIGINAL TSOP48 | AM29DL324GB-90EF.pdf | |
![]() | MIC39502WU | MIC39502WU ORIGINAL SMD or Through Hole | MIC39502WU.pdf | |
![]() | K45641632N-LC75 | K45641632N-LC75 SAMSUNG SMD or Through Hole | K45641632N-LC75.pdf | |
![]() | AD8013ADR14 | AD8013ADR14 AD SMD or Through Hole | AD8013ADR14.pdf |