창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6004A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 42옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 9.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6004A | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6004A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | NLV25T-120J-EF | 12µH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 3.8 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-120J-EF.pdf | |
![]() | TNPU080521K5BZEN00 | RES SMD 21.5K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPU080521K5BZEN00.pdf | |
![]() | L652DV12RI | L652DV12RI ORIGINAL BGA | L652DV12RI.pdf | |
![]() | FA5511N-TE1 | FA5511N-TE1 FUJ SOP8 | FA5511N-TE1.pdf | |
![]() | 04SSKP | 04SSKP ORIGINAL TO-220-2 | 04SSKP.pdf | |
![]() | 74S95B | 74S95B TI SMD or Through Hole | 74S95B.pdf | |
![]() | EP900DM-50 | EP900DM-50 ALTERA CWDIP | EP900DM-50.pdf | |
![]() | TD171N12K | TD171N12K EUPEC SMD or Through Hole | TD171N12K.pdf | |
![]() | RF9111DBP | RF9111DBP RFMICRO SMD or Through Hole | RF9111DBP.pdf | |
![]() | XC2S2000E-6FTG256C | XC2S2000E-6FTG256C XILINX QFP | XC2S2000E-6FTG256C.pdf | |
![]() | RTL8188CUS-GR | RTL8188CUS-GR RALINK SMD or Through Hole | RTL8188CUS-GR.pdf |