창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6003A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 36옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6003A | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6003A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 445W33F30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 24pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W33F30M00000.pdf | |
![]() | AC2512FK-07365KL | RES SMD 365K OHM 1% 1W 2512 | AC2512FK-07365KL.pdf | |
![]() | TC0162A | TC0162A ORIGINAL QFN | TC0162A.pdf | |
![]() | KBE00S009M | KBE00S009M SAMSUNG BGA | KBE00S009M.pdf | |
![]() | BQ4850 | BQ4850 TI DIP | BQ4850.pdf | |
![]() | NE40F | NE40F AGILENT QFN | NE40F.pdf | |
![]() | 225185-2 | 225185-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 225185-2.pdf | |
![]() | LT1484CN8(E3) | LT1484CN8(E3) LINEAR DIP | LT1484CN8(E3).pdf | |
![]() | LTC491N | LTC491N Linearech PDIP14 | LTC491N.pdf | |
![]() | NRF24LE1-F16Q24-R*REVC | NRF24LE1-F16Q24-R*REVC NordicSemiconductor original pack | NRF24LE1-F16Q24-R*REVC.pdf | |
![]() | TAS5102EVM | TAS5102EVM TI SMD or Through Hole | TAS5102EVM.pdf | |
![]() | DCRHTC6.00LL | DCRHTC6.00LL TOKO DIP-3 | DCRHTC6.00LL.pdf |