창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6001D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 18옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6001D | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6001D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 10ZLH3900MEFCGA12.5X25 | 3900µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 10ZLH3900MEFCGA12.5X25.pdf | |
![]() | 4232-561H | 560nH Unshielded Wirewound Inductor 338mA 1.06 Ohm Max 2-SMD | 4232-561H.pdf | |
![]() | RT1206WRC07392RL | RES SMD 392 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRC07392RL.pdf | |
![]() | 22UF25V/D | 22UF25V/D AVX SMD or Through Hole | 22UF25V/D.pdf | |
![]() | R46KI3220 JPM1M | R46KI3220 JPM1M ORIGINAL SMD or Through Hole | R46KI3220 JPM1M.pdf | |
![]() | G24903.1 | G24903.1 NVIDIA BGA | G24903.1.pdf | |
![]() | 218S4EASA32HG(IXP400 | 218S4EASA32HG(IXP400 ATI BGA | 218S4EASA32HG(IXP400.pdf | |
![]() | HD637A01VOA09P | HD637A01VOA09P HIT DIP | HD637A01VOA09P.pdf | |
![]() | LYG2093/S84-PF | LYG2093/S84-PF LIGITEK DIP | LYG2093/S84-PF.pdf | |
![]() | CS3810N | CS3810N CHERRY DIP20 | CS3810N.pdf | |
![]() | GXL-15 | GXL-15 SUNX DIP | GXL-15.pdf | |
![]() | X3NA835 | X3NA835 ORIGINAL SOT-223 | X3NA835.pdf |