창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6000C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6000C | |
관련 링크 | 1N60, 1N6000C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | TC1016/17EV | TC1016/17EV MicrochipTechnology SMD or Through Hole | TC1016/17EV.pdf | |
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![]() | NAND02GW3B2CN6F-ST | NAND02GW3B2CN6F-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | NAND02GW3B2CN6F-ST.pdf | |
![]() | A4701-500E | A4701-500E AVAGO SMD or Through Hole | A4701-500E.pdf | |
![]() | LS12M | LS12M Crownpo SOD-123 | LS12M.pdf | |
![]() | 33.3MHZ | 33.3MHZ ORIGINAL SMD | 33.3MHZ.pdf | |
![]() | 2SD708 | 2SD708 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SD708.pdf | |
![]() | XC7336Q-PQ44 | XC7336Q-PQ44 ORIGINAL SMD or Through Hole | XC7336Q-PQ44.pdf |