창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6000B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1N6000BMS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6000B | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6000B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ABM3B-12.000MHZ-B-4-Y-T | 12MHz ±30ppm 수정 18pF 70옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3B-12.000MHZ-B-4-Y-T.pdf | |
![]() | EXB-24V752JX | RES ARRAY 2 RES 7.5K OHM 0404 | EXB-24V752JX.pdf | |
![]() | MBA02040C2260FC100 | RES 226 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2260FC100.pdf | |
![]() | SPS-NIRB/LJ13-01127A | SPS-NIRB/LJ13-01127A SAMSUNG BGA | SPS-NIRB/LJ13-01127A.pdf | |
![]() | 1646P08-U | 1646P08-U THAT DIP8 | 1646P08-U.pdf | |
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![]() | W55N10 | W55N10 ST TO-247 | W55N10.pdf | |
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![]() | QL2009-0PL144C | QL2009-0PL144C QUICKLOGIC TQFP-144 | QL2009-0PL144C.pdf | |
![]() | 1NA03384 | 1NA03384 Agilent SMD or Through Hole | 1NA03384.pdf | |
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