창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5999D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5999D | |
관련 링크 | 1N59, 1N5999D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F36025AKT | 36MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36025AKT.pdf | |
![]() | RGP10ME-E3/91 | DIODE SW 1A 1000V 500NS DO204AL | RGP10ME-E3/91.pdf | |
![]() | Y1626976R000Q13W | RES SMD 976 OHM 0.02% 0.3W 1506 | Y1626976R000Q13W.pdf | |
![]() | MP7684S4 | MP7684S4 ORIGINAL PLCC28 | MP7684S4.pdf | |
![]() | U631 011 | U631 011 ORIGINAL A2 | U631 011.pdf | |
![]() | TAS3108DCP G4 | TAS3108DCP G4 TI TSSOP-38P | TAS3108DCP G4.pdf | |
![]() | BA4911 | BA4911 ROHM SIP-12 | BA4911.pdf | |
![]() | AF9902M | AF9902M Anachip SOP-8 | AF9902M.pdf | |
![]() | KMG50VB4R7M-TPA(F=5.0MM) | KMG50VB4R7M-TPA(F=5.0MM) CHEMICON SMD or Through Hole | KMG50VB4R7M-TPA(F=5.0MM).pdf | |
![]() | TEESVC20G107K12R | TEESVC20G107K12R NEC SMD or Through Hole | TEESVC20G107K12R.pdf | |
![]() | LM2931ASX-5.0/NOPB | LM2931ASX-5.0/NOPB NSC SMD or Through Hole | LM2931ASX-5.0/NOPB.pdf |