창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5999C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5999C | |
| 관련 링크 | 1N59, 1N5999C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | S0402-6N8H2S | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-6N8H2S.pdf | |
![]() | RT1210CRD07536RL | RES SMD 536 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD07536RL.pdf | |
![]() | Y14870R04700B9R | RES SMD 0.047 OHM 0.1% 1W 2512 | Y14870R04700B9R.pdf | |
![]() | H41K87BYA | RES 1.87K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H41K87BYA.pdf | |
![]() | MC68EN360ZP33L | MC68EN360ZP33L FreescaleSemicond SMD or Through Hole | MC68EN360ZP33L.pdf | |
![]() | 11KO146 | 11KO146 SIEMENS DIP SOP | 11KO146.pdf | |
![]() | MAX532BMJE/883B | MAX532BMJE/883B MAXIN DIP | MAX532BMJE/883B.pdf | |
![]() | 503552-0620 | 503552-0620 molex SMD or Through Hole | 503552-0620.pdf | |
![]() | IXA010VB | IXA010VB SHARP DIP20 | IXA010VB.pdf | |
![]() | EL5378IUZ-T13 | EL5378IUZ-T13 Intersil QSOP28 | EL5378IUZ-T13.pdf | |
![]() | S35 | S35 ORIGINAL SMD or Through Hole | S35.pdf | |
![]() | QSMW-B111 | QSMW-B111 AVAGO ROHS | QSMW-B111.pdf |