창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5997D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5997D | |
| 관련 링크 | 1N59, 1N5997D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0336R1E8R3CD01D | 8.3pF 25V 세라믹 커패시터 R2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336R1E8R3CD01D.pdf | |
![]() | CX2520DB13560H0FLJC1 | 13.56MHz ±10ppm 수정 12pF 150옴 -30°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2520DB13560H0FLJC1.pdf | |
![]() | RCP1206B16R0JEB | RES SMD 16 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B16R0JEB.pdf | |
![]() | 216TBAAGA14FH M10-CSP64 | 216TBAAGA14FH M10-CSP64 ATI BGA | 216TBAAGA14FH M10-CSP64.pdf | |
![]() | INA195AIDBVR TEL:82766440 | INA195AIDBVR TEL:82766440 BB SOT23-5 | INA195AIDBVR TEL:82766440.pdf | |
![]() | C1206N682J050T | C1206N682J050T HEC SMD or Through Hole | C1206N682J050T.pdf | |
![]() | RB435C T100 | RB435C T100 ROHM SMD or Through Hole | RB435C T100.pdf | |
![]() | SF11-50V1A | SF11-50V1A N/A N A | SF11-50V1A.pdf | |
![]() | ST16C1550CJ B | ST16C1550CJ B EXER PLCC | ST16C1550CJ B.pdf | |
![]() | M48Z12-70PC1 | M48Z12-70PC1 DIP ST | M48Z12-70PC1.pdf | |
![]() | CXD8416Q | CXD8416Q ORIGINAL QFP | CXD8416Q.pdf | |
![]() | SF10CGB | SF10CGB ORIGINAL QFP | SF10CGB.pdf |