창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5997A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5997A | |
| 관련 링크 | 1N59, 1N5997A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GL042F33IET | 4.096MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL042F33IET.pdf | |
![]() | 402F30712ILR | 30.72MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30712ILR.pdf | |
![]() | AT0402DRE073K9L | RES SMD 3.9K OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE073K9L.pdf | |
![]() | SER1052-132MLD | SER1052-132MLD Coilcraft SER1052 | SER1052-132MLD.pdf | |
![]() | 74LCX16543 | 74LCX16543 F SSOP | 74LCX16543.pdf | |
![]() | K4S513233F-EL1L | K4S513233F-EL1L ORIGINAL SMD | K4S513233F-EL1L.pdf | |
![]() | SARC | SARC SANYOU SARC | SARC.pdf | |
![]() | 10ME150CX | 10ME150CX SANYO DIP | 10ME150CX.pdf | |
![]() | AHP50AJB-3K | AHP50AJB-3K YAGEO DIP | AHP50AJB-3K.pdf | |
![]() | MC68E060ZU66 | MC68E060ZU66 N/A NC | MC68E060ZU66.pdf | |
![]() | CS4520COG330J302NRE | CS4520COG330J302NRE SAMWHA SMD | CS4520COG330J302NRE.pdf | |
![]() | HE8050G TO-92 T/B | HE8050G TO-92 T/B UTC SMD or Through Hole | HE8050G TO-92 T/B.pdf |