창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5995C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5995C | |
| 관련 링크 | 1N59, 1N5995C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SM8S36HE3/2D | TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO218AB | SM8S36HE3/2D.pdf | |
![]() | 103-470JS | 47nH Unshielded Inductor 820mA 145 mOhm Max 2-SMD | 103-470JS.pdf | |
![]() | HM71S-0603152LFTR | 1.5mH Shielded Wirewound Inductor 35mA 14.2 Ohm Max Nonstandard | HM71S-0603152LFTR.pdf | |
![]() | RT1206BRD07121KL | RES SMD 121K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD07121KL.pdf | |
![]() | 16PT6120 | 16PT6120 LB SMD or Through Hole | 16PT6120.pdf | |
![]() | RT1P237C | RT1P237C TOSHIBA SOT-23 | RT1P237C.pdf | |
![]() | 2D1025 | 2D1025 BB SMD or Through Hole | 2D1025.pdf | |
![]() | CY27H512-35WC | CY27H512-35WC CY DIP | CY27H512-35WC.pdf | |
![]() | BC226 | BC226 ST TO-39 | BC226.pdf | |
![]() | 19-1935-01 | 19-1935-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | 19-1935-01.pdf | |
![]() | GJM0336C1E9R7WB01D | GJM0336C1E9R7WB01D MURATA SMD | GJM0336C1E9R7WB01D.pdf |