창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5993A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 88옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5993A | |
| 관련 링크 | 1N59, 1N5993A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RS1BHE3_A/I | DIODE FAST 100V 1A DO214AC | RS1BHE3_A/I.pdf | |
![]() | 216PABGA13F/9600 | 216PABGA13F/9600 ATI BGA | 216PABGA13F/9600.pdf | |
![]() | F3G0G1560001 | F3G0G1560001 panasonic B | F3G0G1560001.pdf | |
![]() | AP4306BKTR-E1 | AP4306BKTR-E1 BCE SOT23-6 | AP4306BKTR-E1.pdf | |
![]() | 09-9651-1-03 | 09-9651-1-03 AD SMD or Through Hole | 09-9651-1-03.pdf | |
![]() | B7722FV1.4FL | B7722FV1.4FL ORIGINAL SMD or Through Hole | B7722FV1.4FL.pdf | |
![]() | LS0851502F075S1A | LS0851502F075S1A E-Switch SMD or Through Hole | LS0851502F075S1A.pdf | |
![]() | PS4801L | PS4801L NEC SOP4 | PS4801L.pdf | |
![]() | ECQE2105MB | ECQE2105MB ORIGINAL DIP | ECQE2105MB.pdf | |
![]() | RE3-35V472M | RE3-35V472M ELNA DIP | RE3-35V472M.pdf | |
![]() | UDZTE-1724B 24V | UDZTE-1724B 24V ROHM SOD323 | UDZTE-1724B 24V.pdf |