창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5989D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 15µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5989D | |
| 관련 링크 | 1N59, 1N5989D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 08055A7R2BAT2A | 7.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A7R2BAT2A.pdf | |
![]() | 105-471GS | 470nH Unshielded Inductor 555mA 310 mOhm Max 2-SMD | 105-471GS.pdf | |
![]() | RG3216V-6040-P-T1 | RES SMD 604 OHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-6040-P-T1.pdf | |
![]() | MSM514221B-30RS | MSM514221B-30RS OKI DIP-16 | MSM514221B-30RS.pdf | |
![]() | QTC817B | QTC817B QTC DIP | QTC817B.pdf | |
![]() | 1N4004AT | 1N4004AT Rohm SMD or Through Hole | 1N4004AT.pdf | |
![]() | PR1218FK-11 6R2 1218-6.2R F | PR1218FK-11 6R2 1218-6.2R F YAGEO SMD or Through Hole | PR1218FK-11 6R2 1218-6.2R F.pdf | |
![]() | L4018C221MDWDT | L4018C221MDWDT KEMET SMD or Through Hole | L4018C221MDWDT.pdf | |
![]() | MBM29F040C-55PD-SFL | MBM29F040C-55PD-SFL FUJITSU PLCC32 | MBM29F040C-55PD-SFL.pdf | |
![]() | TMS2150-20 | TMS2150-20 TI DIP | TMS2150-20.pdf | |
![]() | 3845AN/HY3845 | 3845AN/HY3845 ORIGINAL DIP8SO8 | 3845AN/HY3845.pdf | |
![]() | CMOZ20VCTR | CMOZ20VCTR Centralsemi SOD-523 | CMOZ20VCTR.pdf |