창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5956D G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1200옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 152V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5956D G | |
관련 링크 | 1N595, 1N5956D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
AT-4.000MDHJ-T | 4MHz ±20ppm 수정 18pF 150옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-4.000MDHJ-T.pdf | ||
![]() | L50J8K0 | RES CHAS MNT 8K OHM 5% 50W | L50J8K0.pdf | |
![]() | Y11721K47000Q0R | RES SMD 1.47K OHM 1/10W 0805 | Y11721K47000Q0R.pdf | |
![]() | FA3864X | FA3864X STANLEY ROHS | FA3864X.pdf | |
![]() | RS605G | RS605G STS SMD or Through Hole | RS605G.pdf | |
![]() | SI6925ADQ-T1-GE3 | SI6925ADQ-T1-GE3 VISHAY SMD or Through Hole | SI6925ADQ-T1-GE3.pdf | |
![]() | TW9920-BABC1-GR | TW9920-BABC1-GR TECHWELL BGA | TW9920-BABC1-GR.pdf | |
![]() | 800V222 | 800V222 ORIGINAL SMD or Through Hole | 800V222.pdf | |
![]() | ESY396M010AC2AA | ESY396M010AC2AA ARCOTRNI DIP-2 | ESY396M010AC2AA.pdf | |
![]() | CM2830ASIM3.3 | CM2830ASIM3.3 CM SOT-89 | CM2830ASIM3.3.pdf | |
![]() | CY7C245-30PC | CY7C245-30PC ORIGINAL SMD or Through Hole | CY7C245-30PC.pdf | |
![]() | HZK5BTR 4.7V34 | HZK5BTR 4.7V34 HITACHI SMD or Through Hole | HZK5BTR 4.7V34.pdf |