창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5956D G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1200옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 152V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5956D G | |
관련 링크 | 1N595, 1N5956D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RCWE0805R590FKEA | RES SMD 0.59 OHM 1% 1/4W 0805 | RCWE0805R590FKEA.pdf | |
![]() | TARQ475K006RNJ | TARQ475K006RNJ AVX Q | TARQ475K006RNJ.pdf | |
![]() | MS22.5-4-2CC/L | MS22.5-4-2CC/L LARK SMD or Through Hole | MS22.5-4-2CC/L.pdf | |
![]() | 6116SA45TP | 6116SA45TP ORIGINAL SMD or Through Hole | 6116SA45TP.pdf | |
![]() | KBC1100-RT | KBC1100-RT SMSC QFP | KBC1100-RT.pdf | |
![]() | P82B96TD/G,118 | P82B96TD/G,118 NXP SOP-8 | P82B96TD/G,118.pdf | |
![]() | 600-GPY-4 | 600-GPY-4 FUJI SOT23 | 600-GPY-4.pdf | |
![]() | IFID0451 | IFID0451 IDEA DIP | IFID0451.pdf | |
![]() | MAX668EUB+ | MAX668EUB+ MAXIM MSOP10 | MAX668EUB+.pdf | |
![]() | SN74LVC2G74DBVR | SN74LVC2G74DBVR ORIGINAL SSOP8 | SN74LVC2G74DBVR.pdf | |
![]() | D7554CS088 | D7554CS088 NEC DIP | D7554CS088.pdf | |
![]() | STRA6272 | STRA6272 SanKe DIP-8 | STRA6272.pdf |