창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5955APE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 180V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 900옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 136.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5955APE3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5955AP, 1N5955APE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
S0402-6N8J2E | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-6N8J2E.pdf | ||
RCWE2010R150FKEA | RES SMD 0.15 OHM 1% 1W 2010 | RCWE2010R150FKEA.pdf | ||
CHR1201 | CHR1201 ORIGINAL SOP | CHR1201.pdf | ||
S1903A50.0000MHZ | S1903A50.0000MHZ SARONIX ORIGINAL | S1903A50.0000MHZ.pdf | ||
TAS-3225A16.000MHz | TAS-3225A16.000MHz TEW SMD or Through Hole | TAS-3225A16.000MHz.pdf | ||
K7I323682C-FC30000 | K7I323682C-FC30000 SAMSUNG BGA165 | K7I323682C-FC30000.pdf | ||
4SP330M+T | 4SP330M+T SANYO DIP | 4SP330M+T.pdf | ||
MCR18EZHF 8252 | MCR18EZHF 8252 ROHM SMD or Through Hole | MCR18EZHF 8252.pdf | ||
MUX-24BQ | MUX-24BQ ORIGINAL SMD or Through Hole | MUX-24BQ.pdf | ||
CL-GD6340-32QC-A | CL-GD6340-32QC-A CIRRUS QFP | CL-GD6340-32QC-A.pdf |