창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5952D G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 450옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 98.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5952D G | |
| 관련 링크 | 1N595, 1N5952D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | FA-238V 14.31818MB50X-K3 | 14.31818MHz ±50ppm 수정 10pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 14.31818MB50X-K3.pdf | |
![]() | VSMB2000X01 | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 20mW/sr @ 100mA 24° 2-SMD, Z-Bend | VSMB2000X01.pdf | |
![]() | CM453232-820KL | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 7 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | CM453232-820KL.pdf | |
![]() | RNF18DTD20R0 | RES 20 OHM 1/8W .5% AXIAL | RNF18DTD20R0.pdf | |
![]() | AB1L3N-AZ | AB1L3N-AZ NEC SMD or Through Hole | AB1L3N-AZ.pdf | |
![]() | SMBJ11CA-E3152 | SMBJ11CA-E3152 VISHAY DO214B | SMBJ11CA-E3152.pdf | |
![]() | K1509 | K1509 FUJI TO-220 | K1509.pdf | |
![]() | C1210C104K5RAC7800 | C1210C104K5RAC7800 KEMET SMD | C1210C104K5RAC7800.pdf | |
![]() | L9A0065PZ5E79FAA | L9A0065PZ5E79FAA LSI SMD or Through Hole | L9A0065PZ5E79FAA.pdf | |
![]() | 54S621DMQB | 54S621DMQB NS CDIP | 54S621DMQB.pdf | |
![]() | FMG2/G2 | FMG2/G2 ROHM SMD or Through Hole | FMG2/G2.pdf |