창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5952BP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 450옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 98.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5952BP/TR12 | |
관련 링크 | 1N5952B, 1N5952BP/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
MSCD200-12 | DIODE MODULE 1.2KV 200A SD2 | MSCD200-12.pdf | ||
7443632200 | 22µH Shielded Wirewound Inductor 12A 10.65 mOhm Nonstandard | 7443632200.pdf | ||
AA1210JR-072R7L | RES SMD 2.7 OHM 5% 1/2W 1210 | AA1210JR-072R7L.pdf | ||
MG75J6ES1(11/45) | MG75J6ES1(11/45) NVIDIA DIP | MG75J6ES1(11/45).pdf | ||
TLC5649CPA | TLC5649CPA TI DIP8 | TLC5649CPA.pdf | ||
LTV-358TB | LTV-358TB LITE-ON SMD or Through Hole | LTV-358TB.pdf | ||
MGSF3441VT1 TEL:82766440 | MGSF3441VT1 TEL:82766440 MOT SOT23-6 | MGSF3441VT1 TEL:82766440.pdf | ||
PV32N203A01B00 | PV32N203A01B00 MURATA DIP-3 | PV32N203A01B00.pdf | ||
GRM432X7R474K100 | GRM432X7R474K100 MURATA SMD or Through Hole | GRM432X7R474K100.pdf | ||
MC4GE04G5APP-0XA00 | MC4GE04G5APP-0XA00 ON SMD or Through Hole | MC4GE04G5APP-0XA00.pdf | ||
MT36LDT3272G-6X | MT36LDT3272G-6X ORIGINAL ORIGINAL | MT36LDT3272G-6X.pdf | ||
MMJT9435T1 | MMJT9435T1 ONS SOT-223(TO-261) | MMJT9435T1 .pdf |