창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5951PE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 380옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 91.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5951PE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5951PE, 1N5951PE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | AQ125A161FAJME\250V | 160pF 50V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ125A161FAJME\250V.pdf | |
![]() | 416F260XXADT | 26MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260XXADT.pdf | |
![]() | REF01BIEZ | REF01BIEZ PMI/AD CDIP | REF01BIEZ.pdf | |
![]() | LH28F800BJR-PBR-PBTL | LH28F800BJR-PBR-PBTL SHARP TSSOP | LH28F800BJR-PBR-PBTL.pdf | |
![]() | RLR05C1501 | RLR05C1501 VISHAY SMD or Through Hole | RLR05C1501.pdf | |
![]() | TSS-14 13.000MHZ | TSS-14 13.000MHZ HITACHI SMD-DIP | TSS-14 13.000MHZ.pdf | |
![]() | L003L3070 | L003L3070 ST QFP | L003L3070.pdf | |
![]() | ds90cf384amtdno | ds90cf384amtdno nsc SMD or Through Hole | ds90cf384amtdno.pdf | |
![]() | AKZ | AKZ ORIGINAL SMD or Through Hole | AKZ.pdf | |
![]() | EMP11 | EMP11 ROHM SOT-363 | EMP11.pdf | |
![]() | XPC832XE-MDS-PB | XPC832XE-MDS-PB Freescale SMD or Through Hole | XPC832XE-MDS-PB.pdf | |
![]() | CL32B474KBFNNNC | CL32B474KBFNNNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL32B474KBFNNNC.pdf |