창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5951D G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 380옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 91.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5951D G | |
관련 링크 | 1N595, 1N5951D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | BFC238311914 | 0.91µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.591" W (31.00mm x 15.00mm) | BFC238311914.pdf | |
![]() | BYG20J/54 | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | BYG20J/54.pdf | |
![]() | RMCF1206FTR470 | RES SMD 0.47 OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FTR470.pdf | |
![]() | RT1206DRD07430RL | RES SMD 430 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD07430RL.pdf | |
![]() | C2008RW | C2008RW Micropower DIP | C2008RW.pdf | |
![]() | 06032F104Z8B20D | 06032F104Z8B20D PHILIPS SMD or Through Hole | 06032F104Z8B20D.pdf | |
![]() | SA300HS-003 | SA300HS-003 TOKO SMD or Through Hole | SA300HS-003.pdf | |
![]() | DMN5L06VA-7-F | DMN5L06VA-7-F DIODES SOT-563 | DMN5L06VA-7-F.pdf | |
![]() | 74VHC541DW | 74VHC541DW MOT NA | 74VHC541DW.pdf | |
![]() | 217KR1C45 | 217KR1C45 Raytheon PLCC68 | 217KR1C45.pdf | |
![]() | 301LVMV | 301LVMV SIS QFP | 301LVMV.pdf | |
![]() | JTAGjet-Trace-4M-OMAP | JTAGjet-Trace-4M-OMAP IARSystems SMD or Through Hole | JTAGjet-Trace-4M-OMAP.pdf |