창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5951B G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 380옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 91.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5951B G | |
| 관련 링크 | 1N595, 1N5951B G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | V575LS80BP | VARISTOR 889.5V 6.5KA DISC 20MM | V575LS80BP.pdf | |
![]() | IHSM4825PJ271L | 270µH Unshielded Inductor 410mA 1.77 Ohm Max Nonstandard | IHSM4825PJ271L.pdf | |
![]() | ALZ12B06W | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 6VDC Coil Through Hole | ALZ12B06W.pdf | |
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![]() | C2012C0G1E153JT000N | C2012C0G1E153JT000N Tdk SMD or Through Hole | C2012C0G1E153JT000N.pdf | |
![]() | 4MS1R202BM7WQES-M | 4MS1R202BM7WQES-M DAILYWELL SMD or Through Hole | 4MS1R202BM7WQES-M.pdf | |
![]() | IRL2203NSTRR | IRL2203NSTRR IR SMD or Through Hole | IRL2203NSTRR.pdf | |
![]() | GCM219R71C224KA37D | GCM219R71C224KA37D MURATA SMD or Through Hole | GCM219R71C224KA37D.pdf | |
![]() | 4055857-25 | 4055857-25 ORIGINAL CLCC | 4055857-25.pdf | |
![]() | KSV884T4A1A-07 | KSV884T4A1A-07 KINGMAX BGA | KSV884T4A1A-07.pdf |