창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5951AP/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 380옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 91.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5951AP/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5951A, 1N5951AP/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | 445W2XK20M00000 | 20MHz ±20ppm 수정 8pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W2XK20M00000.pdf | |
![]() | IMC1812ER2R7J | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 750 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ER2R7J.pdf | |
![]() | RNF14BTC121K | RES 121K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTC121K.pdf | |
![]() | SSN-3352A-119+ | SSN-3352A-119+ MINI SMD or Through Hole | SSN-3352A-119+.pdf | |
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![]() | 74F1843 | 74F1843 NSC DIP40 | 74F1843.pdf | |
![]() | DA28F016SV | DA28F016SV INTEL S0P-56 | DA28F016SV.pdf | |
![]() | SMAL106 | SMAL106 FCI SMA DO-214AC | SMAL106.pdf | |
![]() | HFI83501 | HFI83501 AVAGO QFN | HFI83501.pdf | |
![]() | GP2W0118YP0F | GP2W0118YP0F SHARP CLC | GP2W0118YP0F.pdf |