창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5950BUR-1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N59xxBUR-1 (aka CDLL9513-56) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 300옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 83.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5950BUR-1 | |
| 관련 링크 | 1N5950, 1N5950BUR-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | IPP80N06S2H5AKSA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | IPP80N06S2H5AKSA2.pdf | |
![]() | MVY50VC221MJ10 | MVY50VC221MJ10 CHEMICON SMD | MVY50VC221MJ10.pdf | |
![]() | LE9500BAJC | LE9500BAJC LEGERITY PLCC | LE9500BAJC.pdf | |
![]() | 271KD25J | 271KD25J RUILON DIP | 271KD25J.pdf | |
![]() | ESD-02 | ESD-02 NO PLCC-44 | ESD-02.pdf | |
![]() | AZ431AN-ATRE | AZ431AN-ATRE AAC SOT-23-3 | AZ431AN-ATRE.pdf | |
![]() | ESW-108-12-T-S | ESW-108-12-T-S SAMTEC SMD or Through Hole | ESW-108-12-T-S.pdf | |
![]() | SP6018S8RGB | SP6018S8RGB SYNCPOWER SOP-8P | SP6018S8RGB.pdf | |
![]() | SI3441DV-T1(XHZ) | SI3441DV-T1(XHZ) VISHAY SOT23-6 | SI3441DV-T1(XHZ).pdf | |
![]() | QS3VH2245Q | QS3VH2245Q IDT NA | QS3VH2245Q.pdf | |
![]() | SN74LC139ARGYR | SN74LC139ARGYR TI QFN | SN74LC139ARGYR.pdf | |
![]() | SCD0502T-3R3N-N | SCD0502T-3R3N-N NULL SMD or Through Hole | SCD0502T-3R3N-N.pdf |