창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5949BE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 100V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 250옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 76V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5949BE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5949BE, 1N5949BE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-S02F5100X | RES SMD 510 OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F5100X.pdf | |
![]() | 4609X-101-334LF | RES ARRAY 8 RES 330K OHM 9SIP | 4609X-101-334LF.pdf | |
![]() | K9K4G08U1M-IIBO | K9K4G08U1M-IIBO SAMSUNG BGA | K9K4G08U1M-IIBO.pdf | |
![]() | SSS60N05 | SSS60N05 FSC TO220F | SSS60N05.pdf | |
![]() | RD51E | RD51E NEC DO-35 | RD51E.pdf | |
![]() | RN4BZAY181J | RN4BZAY181J TAIYO SMD or Through Hole | RN4BZAY181J.pdf | |
![]() | VT82C98MVP | VT82C98MVP VIA BGA3535 | VT82C98MVP.pdf | |
![]() | AZ1117H-1.8TRE1 | AZ1117H-1.8TRE1 ORIGINAL SOP8 | AZ1117H-1.8TRE1.pdf | |
![]() | V438133552 | V438133552 H PLCC-28 | V438133552.pdf | |
![]() | 595D157X06R3D2TE3 | 595D157X06R3D2TE3 VISHAY SMD | 595D157X06R3D2TE3.pdf | |
![]() | 2SD1214 | 2SD1214 MAT SMD or Through Hole | 2SD1214.pdf | |
![]() | LUC407563691 | LUC407563691 OTHER SMD or Through Hole | LUC407563691.pdf |