창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5947CPE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 160옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 62.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5947CPE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5947CPE, 1N5947CPE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D4R7BLBAP | 4.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D4R7BLBAP.pdf | |
![]() | AF164-FR-072K74L | RES ARRAY 4 RES 2.74K OHM 1206 | AF164-FR-072K74L.pdf | |
![]() | 7MBR15A120-50 | 7MBR15A120-50 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR15A120-50.pdf | |
![]() | PTZ3.9B | PTZ3.9B ROHM SOD106 | PTZ3.9B .pdf | |
![]() | P036RH10 | P036RH10 WESTCODE SMD or Through Hole | P036RH10.pdf | |
![]() | S1C-225LDV | S1C-225LDV NO NO | S1C-225LDV.pdf | |
![]() | AP9468H | AP9468H APEC TO-252 | AP9468H.pdf | |
![]() | CED1057(DC28V/15A) | CED1057(DC28V/15A) ORIGINAL SMD or Through Hole | CED1057(DC28V/15A).pdf | |
![]() | G4W-2214P-US-TV5-12VDC | G4W-2214P-US-TV5-12VDC OMRON DIP | G4W-2214P-US-TV5-12VDC.pdf | |
![]() | DS4026S+ | DS4026S+ MAX 16-SOIC | DS4026S+.pdf | |
![]() | LT11211ST-3.3 / 810 | LT11211ST-3.3 / 810 SHARP SOT-143 | LT11211ST-3.3 / 810.pdf | |
![]() | 1AB139710004 | 1AB139710004 ALCATEL SMD or Through Hole | 1AB139710004.pdf |