창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5946BP/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 140옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 56V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5946BP/TR8 | |
관련 링크 | 1N5946B, 1N5946BP/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | C2012NP02W681J060AA | 680pF 450V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012NP02W681J060AA.pdf | |
![]() | FDC645N | MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6 | FDC645N.pdf | |
![]() | PM7232S-1R0M-RC | 1µH Shielded Wirewound Inductor 11A 10 mOhm Max Nonstandard | PM7232S-1R0M-RC.pdf | |
![]() | RR1220P-3830-D-M | RES SMD 383 OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-3830-D-M.pdf | |
![]() | AD7305B. | AD7305B. AD TSSOP20 | AD7305B..pdf | |
![]() | ISPLSI1024 | ISPLSI1024 LATTICE SMD or Through Hole | ISPLSI1024.pdf | |
![]() | M6MGT64BM34CDG | M6MGT64BM34CDG RENESA BGA | M6MGT64BM34CDG.pdf | |
![]() | ERG2DG124 | ERG2DG124 panasonic DIP | ERG2DG124.pdf | |
![]() | QM15TG-9 | QM15TG-9 ORIGINAL SMD or Through Hole | QM15TG-9.pdf | |
![]() | SPT135-0R7 | SPT135-0R7 ORIGINAL SMD or Through Hole | SPT135-0R7.pdf | |
![]() | 7LZ10 | 7LZ10 LINEAR SMD or Through Hole | 7LZ10.pdf |