창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5945APE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 68V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 120옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 51.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5945APE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5945APE, 1N5945APE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | MA-406 12.0000M-G3: ROHS | 12MHz ±50ppm 수정 20pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-406 12.0000M-G3: ROHS.pdf | |
![]() | IGP03N120H2XKSA1 | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3 | IGP03N120H2XKSA1.pdf | |
![]() | CRCW06039R76FKEA | RES SMD 9.76 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06039R76FKEA.pdf | |
![]() | RMCF2512FT2K67 | RES SMD 2.67K OHM 1% 1W 2512 | RMCF2512FT2K67.pdf | |
![]() | PLT0603Z3972LBTS | RES SMD 39.7K OHM 0.15W 0603 | PLT0603Z3972LBTS.pdf | |
![]() | HMC689LP4E | RF Mixer IC LTE, WiMax Up/Down Converter 2GHz ~ 2.7GHz 24-QFN (4x4) | HMC689LP4E.pdf | |
![]() | sdt71342SA35J | sdt71342SA35J sdt QFP-52 | sdt71342SA35J.pdf | |
![]() | VC711292M05 | VC711292M05 TI SOP | VC711292M05.pdf | |
![]() | UPL1J221MHHH6TN | UPL1J221MHHH6TN NICHI SMD or Through Hole | UPL1J221MHHH6TN.pdf | |
![]() | 78L02AC | 78L02AC NO SMD or Through Hole | 78L02AC.pdf | |
![]() | ADC1212D065HN/C1,5 | ADC1212D065HN/C1,5 NXP SOT618 | ADC1212D065HN/C1,5.pdf | |
![]() | SN65HVD256DRG4 | SN65HVD256DRG4 TI SOP-8 | SN65HVD256DRG4.pdf |