창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5945AP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 68V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 120옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 51.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5945AP/TR12 | |
관련 링크 | 1N5945A, 1N5945AP/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | HI2-0301-4 | HI2-0301-4 INTERSIL CAN | HI2-0301-4.pdf | |
![]() | BCY59B | BCY59B MOT CAN3 | BCY59B.pdf | |
![]() | NFE31PT152Z1E9K | NFE31PT152Z1E9K MUR MU-NFM60R20T152T1M00 | NFE31PT152Z1E9K.pdf | |
![]() | AF82801JB ES | AF82801JB ES INTEL BGA | AF82801JB ES.pdf | |
![]() | PF38F6070M0Y0CEES | PF38F6070M0Y0CEES INTEL BGA | PF38F6070M0Y0CEES.pdf | |
![]() | 718/688 | 718/688 KEC SMD or Through Hole | 718/688.pdf | |
![]() | 54153/BEAJC | 54153/BEAJC TI CDIP | 54153/BEAJC.pdf | |
![]() | DJB5 | DJB5 ORIGINAL SOT-163 | DJB5.pdf | |
![]() | 0402 1NF | 0402 1NF ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402 1NF.pdf | |
![]() | N40519MN-R | N40519MN-R FPE SOP40 | N40519MN-R.pdf | |
![]() | GT3200-JN | GT3200-JN SMSC QFP48 | GT3200-JN.pdf | |
![]() | KME10VB220F50TC04R | KME10VB220F50TC04R NIPPONCHEMICON SMD or Through Hole | KME10VB220F50TC04R.pdf |