창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5941D G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 67옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 35.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5941D G | |
| 관련 링크 | 1N594, 1N5941D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | LQW18AN15NJ00D | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 130 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN15NJ00D.pdf | |
![]() | HRG3216Q-10R5-D-T5 | RES SMD 10.5 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216Q-10R5-D-T5.pdf | |
![]() | RT2512BKE07360RL | RES SMD 360 OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE07360RL.pdf | |
![]() | PXV1220S-8DBN1-T | RF Attenuator 8dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-8DBN1-T.pdf | |
![]() | REG710EVM-5 | REG710EVM-5 TI SMD or Through Hole | REG710EVM-5.pdf | |
![]() | AM286TM | AM286TM AMD QFP | AM286TM.pdf | |
![]() | 32.768KHz-11.0pF | 32.768KHz-11.0pF CITIZE SMD or Through Hole | 32.768KHz-11.0pF.pdf | |
![]() | 25RX30470MEFGT810*16 | 25RX30470MEFGT810*16 RUBYCON SMD or Through Hole | 25RX30470MEFGT810*16.pdf | |
![]() | K6X4008BTIF-GF70 | K6X4008BTIF-GF70 SAMSUNG SMD | K6X4008BTIF-GF70.pdf | |
![]() | M4-1209SSH | M4-1209SSH MRUI SIP | M4-1209SSH.pdf | |
![]() | SUP75N03-04-E3 | SUP75N03-04-E3 SILICONIX SMD or Through Hole | SUP75N03-04-E3.pdf |