창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5940D G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 53옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 32.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5940D G | |
관련 링크 | 1N594, 1N5940D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
445W32K27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32K27M00000.pdf | ||
NLV25T-012J-EF | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 270 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-012J-EF.pdf | ||
HCMA1305-5R6-R | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 11.5A 13.8 mOhm Max Nonstandard | HCMA1305-5R6-R.pdf | ||
2510R-18G | 560nH Unshielded Inductor 500mA 190 mOhm Max 2-SMD | 2510R-18G.pdf | ||
HE721A0500 | Reed Relay SPST-NO (1 Form A) Through Hole | HE721A0500.pdf | ||
DTR-1250-SM-LC-L2-M | DTR-1250-SM-LC-L2-M OCP SMD or Through Hole | DTR-1250-SM-LC-L2-M.pdf | ||
IDT72403L10D | IDT72403L10D IDT CDIP | IDT72403L10D.pdf | ||
TC17G014AP-0074 | TC17G014AP-0074 TOSHIBA DIP | TC17G014AP-0074.pdf | ||
IXFH26N45 | IXFH26N45 IXYS TO-3P | IXFH26N45.pdf | ||
XC61AC1802MR / B8 | XC61AC1802MR / B8 TOREX Sot-23 | XC61AC1802MR / B8.pdf | ||
M51564FP | M51564FP ORIGINAL TSOP-36 | M51564FP.pdf |