창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5939BUR-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N59xxBUR-1 (aka CDLL9513-56) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 29.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5939BUR-1 | |
관련 링크 | 1N5939, 1N5939BUR-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | MLG1005S10NJTD25 | 10nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 350 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S10NJTD25.pdf | |
![]() | ADP194ACBZ-R7 | ADP194ACBZ-R7 AD 4-WLCSP | ADP194ACBZ-R7.pdf | |
![]() | MP8666DN | MP8666DN MPS SOP8 | MP8666DN.pdf | |
![]() | LP2985AITLX-1.8 | LP2985AITLX-1.8 NSC 5-UFBGA | LP2985AITLX-1.8.pdf | |
![]() | LM195CH | LM195CH NS CAN | LM195CH.pdf | |
![]() | S8242AAF-M6T2GZ | S8242AAF-M6T2GZ SII SOT23 | S8242AAF-M6T2GZ.pdf | |
![]() | AT2025 | AT2025 HAMLIN SMD or Through Hole | AT2025.pdf | |
![]() | LTL1CHTBK2 | LTL1CHTBK2 LITEON DIP | LTL1CHTBK2.pdf | |
![]() | 2SA1518 / LL | 2SA1518 / LL MITSUBISHI Sot-23 | 2SA1518 / LL.pdf | |
![]() | STTA106/N | STTA106/N STM SMD or Through Hole | STTA106/N.pdf | |
![]() | BL4235 | BL4235 BROADLIGHT SMD or Through Hole | BL4235.pdf | |
![]() | SM5006ANDS | SM5006ANDS NPC SOP | SM5006ANDS.pdf |