창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5939APE3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 29.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5939APE3/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5939AP, 1N5939APE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CM309E29491200ABJT | 29.4912MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E29491200ABJT.pdf | |
![]() | SLF12575T-680M2R0-H | 68µH Shielded Wirewound Inductor 2A 93.36 mOhm Max Nonstandard | SLF12575T-680M2R0-H.pdf | |
![]() | 805F2K0 | RES CHAS MNT 2K OHM 1% 5W | 805F2K0.pdf | |
![]() | AC03DSM | AC03DSM NEC TO-220F | AC03DSM.pdf | |
![]() | GF4-440-GO | GF4-440-GO NVIDIA BGA | GF4-440-GO.pdf | |
![]() | 39-53-2074 | 39-53-2074 MOLEX NA | 39-53-2074.pdf | |
![]() | 55RP3302EMB713 | 55RP3302EMB713 TEICOM SOT-89 | 55RP3302EMB713.pdf | |
![]() | STPF11NM65N | STPF11NM65N ST TO-200 | STPF11NM65N.pdf | |
![]() | ADM2486BRW-REEL | ADM2486BRW-REEL AD SMD or Through Hole | ADM2486BRW-REEL.pdf | |
![]() | POL | POL ORIGINAL MSOP8 | POL.pdf | |
![]() | DHRB34A102M2FB | DHRB34A102M2FB MURATA DIP | DHRB34A102M2FB.pdf | |
![]() | RB095B-60 SOT252 PB-FREE | RB095B-60 SOT252 PB-FREE ROHM SMD or Through Hole | RB095B-60 SOT252 PB-FREE.pdf |