창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5939AP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 29.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5939AP/TR12 | |
관련 링크 | 1N5939A, 1N5939AP/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SR221A3R0DAR | 3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR221A3R0DAR.pdf | |
![]() | 416F24025IDR | 24MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24025IDR.pdf | |
![]() | RAVF104DJT56K0 | RES ARRAY 4 RES 56K OHM 0804 | RAVF104DJT56K0.pdf | |
![]() | 20J2K0 | RES 2K OHM 10W 5% AXIAL | 20J2K0.pdf | |
![]() | CP0010750R0JB14 | RES 750 OHM 10W 5% AXIAL | CP0010750R0JB14.pdf | |
![]() | MC74F243MR1 | MC74F243MR1 MOTOROLA SMD or Through Hole | MC74F243MR1.pdf | |
![]() | SBK321611F-121Y-S | SBK321611F-121Y-S CHILISIN 1206 | SBK321611F-121Y-S.pdf | |
![]() | SB4030 | SB4030 ORIGINAL B | SB4030.pdf | |
![]() | GRM21BB10J335KA11L | GRM21BB10J335KA11L MURATA O805 | GRM21BB10J335KA11L.pdf | |
![]() | MICA16 | MICA16 ORIGINAL SMD or Through Hole | MICA16.pdf | |
![]() | R8A02021ABGV | R8A02021ABGV RENESAS BGA | R8A02021ABGV.pdf | |
![]() | TAP15063M-B4 | TAP15063M-B4 ORIGINAL SOT-89 | TAP15063M-B4.pdf |