창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5938CP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 38옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 27.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5938CP/TR12 | |
관련 링크 | 1N5938C, 1N5938CP/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
FA-238V 14.31818MB-K3 | 14.31818MHz ±50ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 14.31818MB-K3.pdf | ||
C16478 | C16478 AMI PLCC84 | C16478.pdf | ||
RCT05-1R1JTP | RCT05-1R1JTP RALEC SMD or Through Hole | RCT05-1R1JTP.pdf | ||
CF32510A | CF32510A TI PLCC | CF32510A.pdf | ||
UB6225PQ | UB6225PQ ENE LQFP | UB6225PQ.pdf | ||
S558-5999-Q4 | S558-5999-Q4 BEL SOP | S558-5999-Q4.pdf | ||
C82-004K | C82-004K FUJI TO-220 | C82-004K.pdf | ||
GL2L5MS150DT5 | GL2L5MS150DT5 ORIGINAL SMD or Through Hole | GL2L5MS150DT5.pdf | ||
DF71252D50FAV | DF71252D50FAV Renesas SMD or Through Hole | DF71252D50FAV.pdf | ||
K4T2G084QA-HCD5 | K4T2G084QA-HCD5 SAMSUNG FBGA | K4T2G084QA-HCD5.pdf |