창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5936D G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 28옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 22.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5936D G | |
| 관련 링크 | 1N593, 1N5936D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | NS10165T1R5NNA | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 8.04A 7.2 mOhm Max Nonstandard | NS10165T1R5NNA.pdf | |
![]() | CW010223R0KE12 | RES 223 OHM 13W 10% AXIAL | CW010223R0KE12.pdf | |
![]() | HA11466S | HA11466S HIT SMD or Through Hole | HA11466S.pdf | |
![]() | 15KPA54A-LF | 15KPA54A-LF PROTEKDEVICES CALL | 15KPA54A-LF.pdf | |
![]() | 111634-8 | 111634-8 AMP ORIGINAL | 111634-8.pdf | |
![]() | S-8264AAF-I8T1G | S-8264AAF-I8T1G SEIKO SON8 | S-8264AAF-I8T1G.pdf | |
![]() | FAR-C1CB-16934-E02A-R | FAR-C1CB-16934-E02A-R FUJUTSU SMD or Through Hole | FAR-C1CB-16934-E02A-R.pdf | |
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![]() | CDR31BX103AKUR7189 | CDR31BX103AKUR7189 KEMET SMD or Through Hole | CDR31BX103AKUR7189.pdf | |
![]() | LM3965ES-5.0 | LM3965ES-5.0 NS TO220-5 | LM3965ES-5.0.pdf | |
![]() | PD3308D | PD3308D ORIGINAL SMD or Through Hole | PD3308D.pdf | |
![]() | TSH691ID | TSH691ID sgs SMD or Through Hole | TSH691ID.pdf |