창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5935CPE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 28V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 23옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 20.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5935CPE3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5935CP, 1N5935CPE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | EFR32MG1P132F256GM32-B0R | IC MCU 32BIT 256KB 32QFN | EFR32MG1P132F256GM32-B0R.pdf | |
![]() | EP4SGX180KF40I4N | EP4SGX180KF40I4N ALTERA BGA | EP4SGX180KF40I4N.pdf | |
![]() | TRR1A05F50-R-B | TRR1A05F50-R-B TTI SMD or Through Hole | TRR1A05F50-R-B.pdf | |
![]() | 1N5819L SOD-123 T/R | 1N5819L SOD-123 T/R UTC SOD123TR | 1N5819L SOD-123 T/R.pdf | |
![]() | XA2361-5.0 | XA2361-5.0 XA SOT89 | XA2361-5.0.pdf | |
![]() | EP2C20F484I8/N | EP2C20F484I8/N ALTERA BGA | EP2C20F484I8/N.pdf | |
![]() | RF38F5060MOY3DF | RF38F5060MOY3DF INETL BGA | RF38F5060MOY3DF.pdf | |
![]() | LT1039IN | LT1039IN LT DIP18 | LT1039IN.pdf | |
![]() | HZ12B1TA-E-Q | HZ12B1TA-E-Q Renesas SMD or Through Hole | HZ12B1TA-E-Q.pdf | |
![]() | 45DB011D-SH-T | 45DB011D-SH-T ATMEL SMD | 45DB011D-SH-T.pdf | |
![]() | WD33C93AJM0004 | WD33C93AJM0004 wdc SMD or Through Hole | WD33C93AJM0004.pdf |