창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5933AP/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 17.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 16.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5933AP/TR8 | |
관련 링크 | 1N5933A, 1N5933AP/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | V68MA3A | VARISTOR 68V 40A SOD83A AXIAL | V68MA3A.pdf | |
LQH5BPN1R2NT0L | 1.2µH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 22.8 mOhm Max Nonstandard | LQH5BPN1R2NT0L.pdf | ||
![]() | SM6227JT8R20 | RES SMD 8.2 OHM 5% 3W 6227 | SM6227JT8R20.pdf | |
![]() | LT1021CCN8-5#PBF | LT1021CCN8-5#PBF LT DIP | LT1021CCN8-5#PBF.pdf | |
![]() | C1812C106M3R2C7186 | C1812C106M3R2C7186 KEMET SMD | C1812C106M3R2C7186.pdf | |
![]() | LM4866MTX | LM4866MTX NS TSSOP | LM4866MTX.pdf | |
![]() | TM8111MR | TM8111MR ST SDIP-42 | TM8111MR.pdf | |
![]() | Z8E00110HSCR3912 | Z8E00110HSCR3912 ZILOG SSOP | Z8E00110HSCR3912.pdf | |
![]() | 1-747579-2 | 1-747579-2 AMP/TYCO AMP | 1-747579-2.pdf | |
![]() | MC74GY | MC74GY Madison SMD or Through Hole | MC74GY.pdf | |
![]() | DS-KIT-MM-BASE | DS-KIT-MM-BASE Xilinx SMD or Through Hole | DS-KIT-MM-BASE.pdf | |
![]() | FN00100009 | FN00100009 KOA RES | FN00100009.pdf |