창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5932A G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 15.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5932A G | |
관련 링크 | 1N593, 1N5932A G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | MPLAD6.5KP110CA | TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD | MPLAD6.5KP110CA.pdf | |
![]() | STW18N60DM2 | MOSFET N-CH 600V 12A | STW18N60DM2.pdf | |
![]() | FMN1/N1 | FMN1/N1 ROHM SOT-153 | FMN1/N1.pdf | |
![]() | C2012X7R2E222KT5 | C2012X7R2E222KT5 TDK SMD or Through Hole | C2012X7R2E222KT5.pdf | |
![]() | XC6109N22ANR | XC6109N22ANR TOREX SOT-343 | XC6109N22ANR.pdf | |
![]() | 3313S001203E | 3313S001203E BOURNS SMD | 3313S001203E.pdf | |
![]() | B952AS-101M=P3 | B952AS-101M=P3 TOKO smd | B952AS-101M=P3.pdf | |
![]() | DM7400J | DM7400J NS DIP | DM7400J.pdf | |
![]() | 5D18-4R7.10UH.22UH | 5D18-4R7.10UH.22UH ORIGINAL SMD or Through Hole | 5D18-4R7.10UH.22UH.pdf | |
![]() | MAZT082HGL | MAZT082HGL Panasonic SOT523 | MAZT082HGL.pdf | |
![]() | RTL8111D-VB-GR | RTL8111D-VB-GR REALTEK QFN64 | RTL8111D-VB-GR.pdf |