창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5931BE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 12옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 13.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5931BE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5931BE, 1N5931BE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SI7898DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 | SI7898DP-T1-GE3.pdf | |
![]() | CRCW1206150RJNTB | RES SMD 150 OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW1206150RJNTB.pdf | |
![]() | DSA1210R474KN | DSA1210R474KN AlphaManufacturi SMD or Through Hole | DSA1210R474KN.pdf | |
![]() | NJM7304D | NJM7304D JRC SMD or Through Hole | NJM7304D.pdf | |
![]() | ISL54206AIRUZ-T | ISL54206AIRUZ-T ORIGINAL SMD or Through Hole | ISL54206AIRUZ-T.pdf | |
![]() | NSM500JB-0R07 | NSM500JB-0R07 YAGEO DIP | NSM500JB-0R07.pdf | |
![]() | EETUQ1C273JJ | EETUQ1C273JJ Panasoni DIP | EETUQ1C273JJ.pdf | |
![]() | T73L03A1V0215 | T73L03A1V0215 N/A N A | T73L03A1V0215.pdf | |
![]() | LM2902MT+ | LM2902MT+ NSC SMD or Through Hole | LM2902MT+.pdf | |
![]() | XC61AC3002P | XC61AC3002P TOREX SMD or Through Hole | XC61AC3002P.pdf | |
![]() | 5SS472MHCA | 5SS472MHCA AVX SMD or Through Hole | 5SS472MHCA.pdf |