창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5930P/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 12.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5930P/TR12 | |
관련 링크 | 1N5930P, 1N5930P/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 4P080F35ICT | 8MHz ±30ppm 수정 16pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P080F35ICT.pdf | |
![]() | RT0402FRD073K65L | RES SMD 3.65K OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRD073K65L.pdf | |
![]() | CMF6590R900BEEB | RES 90.9 OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF6590R900BEEB.pdf | |
![]() | BUS24C. | BUS24C. NXP TO-3 | BUS24C..pdf | |
![]() | RS1003M | RS1003M ORIGINAL GBJ | RS1003M.pdf | |
![]() | LDPR | LDPR LT QFN | LDPR.pdf | |
![]() | FTD2017R-TL-E | FTD2017R-TL-E SANYO MSOP8 | FTD2017R-TL-E.pdf | |
![]() | 64B1 | 64B1 JAPAN QFP | 64B1.pdf | |
![]() | GRM36B104K10D641/T263 | GRM36B104K10D641/T263 MURATA SMD or Through Hole | GRM36B104K10D641/T263.pdf | |
![]() | 2CW68 | 2CW68 ORIGINAL ED | 2CW68.pdf | |
![]() | HD6432192AT3F | HD6432192AT3F ORIGINAL QFP | HD6432192AT3F.pdf | |
![]() | CAT1232LPS-2 | CAT1232LPS-2 Catalyst SOP8 | CAT1232LPS-2.pdf |