창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5930C G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 12.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5930C G | |
관련 링크 | 1N593, 1N5930C G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
ECW-HA3C113HQ | 0.011µF Film Capacitor 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.799" L x 0.260" W (20.30mm x 6.60mm) | ECW-HA3C113HQ.pdf | ||
CX2016DB48000H0FLJC1 | 48MHz ±10ppm 수정 12pF 50옴 -30°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2016DB48000H0FLJC1.pdf | ||
1N4737A-T | DIODE ZENER 1.3W DO41 | 1N4737A-T.pdf | ||
RT1250B6TR7 | RES NTWRK 16 RES MULT OHM 24LBGA | RT1250B6TR7.pdf | ||
CMF50200R00FNEB | RES 200 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50200R00FNEB.pdf | ||
ADLC5M03200 | ADLC5M03200 AMODIODE SMD0603 | ADLC5M03200.pdf | ||
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BQ27420YZFR-G1 | BQ27420YZFR-G1 ORIGINAL SMD or Through Hole | BQ27420YZFR-G1.pdf | ||
XC3142A-VQ100 | XC3142A-VQ100 XILINX QFP | XC3142A-VQ100.pdf | ||
IXGT35N120C | IXGT35N120C IXYS TO-268 | IXGT35N120C.pdf | ||
JEC-K191AISRE | JEC-K191AISRE JETTEK LED | JEC-K191AISRE.pdf |