창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5929C G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 9옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 11.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5929C G | |
관련 링크 | 1N592, 1N5929C G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | LTE-306 | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 0.662mW/sr @ 20mA 30° Radial | LTE-306.pdf | |
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WHS7-150RJT07 | RES 150 OHM 7W 5% AXIAL | WHS7-150RJT07.pdf | ||
![]() | VX3A0J 48.00000MHZ | VX3A0J 48.00000MHZ JVC SMD or Through Hole | VX3A0J 48.00000MHZ.pdf | |
![]() | LMV358MM NOPB | LMV358MM NOPB NSC DIPSOP | LMV358MM NOPB.pdf | |
![]() | 2SA673BTZ | 2SA673BTZ RENESAS TO92 | 2SA673BTZ.pdf | |
![]() | KW2-24S05S | KW2-24S05S SHANGMEI SMD or Through Hole | KW2-24S05S.pdf | |
![]() | UPD81031GD | UPD81031GD NEC QFP | UPD81031GD.pdf | |
![]() | AN3812NK | AN3812NK PAN DIP-18P | AN3812NK.pdf | |
![]() | C0805DRNPO9BB100 | C0805DRNPO9BB100 ORIGINAL O805 | C0805DRNPO9BB100.pdf | |
![]() | AIC1680-C20CZTR | AIC1680-C20CZTR AIC TO-92 | AIC1680-C20CZTR.pdf |