창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5927CPE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 6.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5927CPE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5927CPE, 1N5927CPE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | MHQ0402P3N4ST000 | 3.4nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 500 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P3N4ST000.pdf | |
![]() | 1331-151J | 150nH Shielded Inductor 610mA 120 mOhm Max 2-SMD | 1331-151J.pdf | |
![]() | P0204 | DAUGHTER CARD HSMC ARRADIO | P0204.pdf | |
![]() | FM31L274 | FM31L274 Ramtron SOIC14 | FM31L274.pdf | |
![]() | I048C030T030P2 | I048C030T030P2 Vicor SMD or Through Hole | I048C030T030P2.pdf | |
![]() | M5118160D-50J | M5118160D-50J MITSUBIS SOJ | M5118160D-50J.pdf | |
![]() | 2795C | 2795C BEL SMD or Through Hole | 2795C.pdf | |
![]() | LP3855ET-2.5 | LP3855ET-2.5 NS SMD or Through Hole | LP3855ET-2.5.pdf | |
![]() | G2VN-234P-DC06 | G2VN-234P-DC06 OMRON SMD or Through Hole | G2VN-234P-DC06.pdf | |
![]() | EBLS1206-5R | EBLS1206-5R ORIGINAL SMD or Through Hole | EBLS1206-5R.pdf | |
![]() | WCDRH23D09HPNP-2R2NC | WCDRH23D09HPNP-2R2NC Sumida SMD or Through Hole | WCDRH23D09HPNP-2R2NC.pdf | |
![]() | K8D6316UBC-PI07 | K8D6316UBC-PI07 SAMSUNG TSOP48 | K8D6316UBC-PI07.pdf |