창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5927APE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 6.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5927APE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5927APE, 1N5927APE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
TACR106M006RTA | 10µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 0805 (2012 Metric) 5 Ohm 0.079" L x 0.053" W (2.00mm x 1.35mm) | TACR106M006RTA.pdf | ||
416F40612ALT | 40.61MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40612ALT.pdf | ||
NLV32T-R68J-EF | 680nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 600 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-R68J-EF.pdf | ||
ERJ-6RSJR12V | RES SMD 0.12 OHM 5% 1/8W 0805 | ERJ-6RSJR12V.pdf | ||
ESR18EZPJ334 | RES SMD 330K OHM 5% 1/3W 1206 | ESR18EZPJ334.pdf | ||
HC35570A5 | HC35570A5 MHS SMD or Through Hole | HC35570A5.pdf | ||
MTC90-10-4 | MTC90-10-4 ORIGINAL SMD or Through Hole | MTC90-10-4.pdf | ||
ADV7499BSTZ | ADV7499BSTZ ADI QFP | ADV7499BSTZ.pdf | ||
SN74CB3T3384PW | SN74CB3T3384PW TI TSSOP24 | SN74CB3T3384PW.pdf | ||
TDA9850T/V1,512 | TDA9850T/V1,512 NXP SMD or Through Hole | TDA9850T/V1,512.pdf | ||
RHC- | RHC- RHC SMD or Through Hole | RHC-.pdf | ||
MTI3006X-GEG | MTI3006X-GEG SIEMENS SMD or Through Hole | MTI3006X-GEG.pdf |