창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5926E3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5926E3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N5926E, 1N5926E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | HM17-895101LF | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 900mA 190 mOhm Max Radial | HM17-895101LF.pdf | |
![]() | IS62C256AL-45 | IS62C256AL-45 ISSI TO220 | IS62C256AL-45.pdf | |
![]() | 82C601A | 82C601A OPTI QFP | 82C601A.pdf | |
![]() | CL05B104KB5NNNC | CL05B104KB5NNNC SAMSUNG SMD | CL05B104KB5NNNC.pdf | |
![]() | TPS3306-15D | TPS3306-15D TI SOIC | TPS3306-15D.pdf | |
![]() | FQN1N60CTR | FQN1N60CTR FAIRCHILD SMD or Through Hole | FQN1N60CTR.pdf | |
![]() | 73474-301LF | 73474-301LF FCIELX SMD or Through Hole | 73474-301LF.pdf | |
![]() | TAPC64013EBLL3E-APC 3E | TAPC64013EBLL3E-APC 3E Agere IC | TAPC64013EBLL3E-APC 3E.pdf | |
![]() | N322522T-120J | N322522T-120J TDK 3225 | N322522T-120J.pdf | |
![]() | UPC4062G2-E2-A | UPC4062G2-E2-A ORIGINAL SOP-8 | UPC4062G2-E2-A.pdf | |
![]() | 74ALS14N | 74ALS14N NS DIP | 74ALS14N.pdf | |
![]() | PHE428RB4470J | PHE428RB4470J EVOX RIFA SMD or Through Hole | PHE428RB4470J.pdf |