창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5926B G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5926B G | |
| 관련 링크 | 1N592, 1N5926B G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 3.0SMCJ150CATR | TVS DIODE 150VWM 243VC SMC | 3.0SMCJ150CATR.pdf | |
![]() | 9C-3.6864MAAE-T | 3.6864MHz ±30ppm 수정 12pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-3.6864MAAE-T.pdf | |
![]() | Y1453200R000B9L | RES 200 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y1453200R000B9L.pdf | |
![]() | P51-50-G-AF-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Male - 9/16" (14.29mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-G-AF-MD-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | HI2-0381-2 | HI2-0381-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | HI2-0381-2.pdf | |
![]() | STD2NA60 | STD2NA60 STM SOT-252 | STD2NA60.pdf | |
![]() | BU941ZPF1 | BU941ZPF1 ST TO-247 | BU941ZPF1.pdf | |
![]() | LF442ACN-LF | LF442ACN-LF NS SMD or Through Hole | LF442ACN-LF.pdf | |
![]() | D6R30 F2 LFS | D6R30 F2 LFS C&K SMD or Through Hole | D6R30 F2 LFS.pdf | |
![]() | TNR14V150K | TNR14V150K NIPPON DIP-2 | TNR14V150K.pdf | |
![]() | HQ1008-18NG-N | HQ1008-18NG-N YAGEO SMD | HQ1008-18NG-N.pdf | |
![]() | 1757035 | 1757035 PH SMD or Through Hole | 1757035.pdf |